- 商品名:SemiSiC製8チンSiCウエハー基板　未開封品 - 素材: 炭化ケイ素ウエハー/8 Inch N-type SiC Substrate - サイズ: 直径約150mm - 数量: ２枚/箱 - 用途: 半導体製造、評価など - 状態: 新品（クリーン状態） Surface orientation：4°toward<11-20>±0.2º Resistivity：0.015~0.025ohm/cm Diameter mm： 200.0±0.2mm Thickness μm： 350±25μm Notch orientation： [1-100]±1° Notch depth：1~1.25mm Notch angle ：90+5/-1° LTV ： ≤2μm(10mm*10mm) TTV ： ≤5μm Bow ： -20μm~20μm Warp： ≤25μm Micropipe density ： ＜0.1ea/cm2 Metal impurities ： None BPD ： ≤800ea/cm2 TSD ： ≤30ea/cm2 SF(2mm*2mm)：≤1% TUA(2mm*2mm) ： ≥98% Front:Si Surface Finish:≤60(尺寸size≥0.3μm) Particles:≤60(尺寸size≥0.3μm) Scratches:≤5,Total Length≤1/2*Diameter Back finish:C-face polished Scratches:≤5,Total Length≤Diameter Edge:Chamfer Packaging:Nitrogen/vacuum