功率元件用8英寸SiC晶圓基板Dummy級 高純度人造鑽石（Moissanite・莫桑石）也稱之為。 ＜規格概要＞ 直徑：200±0.25mm 厚度：350±25μm 表面取向：4 ˚toward<11-20>± 0.5˚ 缺口深度：1 ~ 1.25mm 缺口方向：沿 [1-100] ± 2° 正交錯位：± 5 微管密度：≤ 5 /cm2 電阻率（全部）：0.014-0.028 Ω·cm TTV：≤ 10 µm 彎曲度（絕對值）：≤ 35 µm 翹曲：≤ 45 μm 表面處理：雙面拋光，Si外延面CMP，C面光學拋光 表面金屬污染：≤ 5E+10 atoms/cm2 各SiC基板廠家均有銷售，請洽詢華陽。