パワーデバイス向け８インチSiCウエハ基板Dummy級 高純度人工ダイヤモンド（Moissanite・モアッサナイト）とも言います。 ＜SPEC概要＞ Diameter：200±0.25ｍｍ Thickness：350±25μｍ Surface Orientation：4 ˚toward<11-20>± 0.5˚ Notch Depth：1 ~ 1.25mm Notch Orientation：Along [1-100] ± 2° Orthogonal misorientation：± 5 Micropipe Density：≤ 5 /cm2 Resistivity (all)：0.014-0.028 Ω·cm TTV：≤ 10 µm Bow（ absolute value）：≤ 35 µm Warp：≤ 45 μm Surface Finish：Double side polish, Si epi-face CMP, C face optical polish Surface Metal Contamination：≤ 5E+10 atoms/cm2 各SiC基板メーカーの取り扱いございます、華陽まで問い合わせください。